在台积电第二季度的法说会上，他们提出了晶圆代工2.0的新概念。传统上，晶圆代工通常指的是晶圆成品的制造加工，但台积电的魏哲家董事长认为，晶圆代工2.0不仅包括晶圆制造，还包括封装、测试和光罩制作等环节，即使不涉及存储芯片的IDM（整合元件制造商）。简而言之，除了芯片设计外的所有环节都可归类为晶圆代工2.0。
台积电指出，这一新定义更好地反映了未来市场机会的扩展。据估计，根据2.0定义，2023年晶圆制造产业规模将达到近2500亿美元，比传统的1.0版本定义下的1,150亿美元大幅增加。预计到2024年，晶圆制造产业将同比增长近10%。
调研机构TrendForce的数据显示，在旧定义的晶圆代工中，台积电在2023年第一季度的市场份额达到了61.7%；而按照新定义计算，台积电在整个2023年的晶圆代工市场份额为28%。
台积电的财务长黄仁昭表示，重新定义晶圆代工的原因之一是国际IDM厂商进入代工市场，使得传统的晶圆代工界限变得模糊。另一方面，台积电也需要扩大自身在先进封装领域的影响力。
尽管如此，台积电强调他们将继续专注于最先进的后段技术，帮助客户开发前瞻性产品。这意味着他们未来仍将集中在先进封装，而非整个封装市场。
英特尔在2021年提出了IDM2.0战略，将其代工部门独立出来，开始接受来自其他非晶圆厂的订单。尽管台积电接到了英特尔新处理器的订单，但在代工市场上，两家公司已成为直接竞争对手。
英特尔的IDM2.0战略旨在使其成为领先的半导体代工厂。英特尔在工艺节点上的落后导致其面临挑战，特别是在PC和服务器处理器市场上。为了实现IDM2.0的目标，英特尔计划在四年内推出五个新工艺节点，并投资1000亿美元扩展产能。
晶圆代工2.0和IDM2.0代表了台积电和英特尔在半导体市场上的战略调整和竞争。随着技术和市场的发展，这两家公司都在努力适应新的市场格局和技术挑战，以维持其在全球半导体产业中的领导地位。
台湾半导体巨头联电，42年风雨征程
作为台湾晶圆代工的“二当家”，联电在2021年以7.8%的市场占有率稳坐全球第二把交椅。 这一年，联电的业绩创新高，彰显了其在行业中的韧性与成长力。 1980年代，随着半导体需求飙升，联电应运而生，历经起伏，1995年成功转型为专业晶圆代工商，紧跟台积电的步伐，顺应了IDM模式向分工模式的行业变革。
曹兴诚的远见促使联电成立，并通过合作获得了稳定订单。 面对质疑与技术挑战，联电拆分IC设计部门，打造“联家军”，1996-2000年间，凭借技术创新，市场份额一路攀升至四成。 尽管在2000年与台积电的竞赛中遭遇挫折，联电并未停下脚步，扩展制程，包括90纳米、65纳米和45纳米技术，直至2008年成为首个生产28纳米芯片的代工厂。
2013年，联电收购和舰科技，扩大产能，并设立特殊技术中心。 2014年，与厦门政府合作成立联芯集成，进军12寸晶圆代工市场。 技术进步不断，14纳米工艺在2017年实现量产，40纳米嵌入式SuperFlash技术也进入市场。 然而，面对技术瓶颈和回报压力，联电调整策略，聚焦28nm以上制程，放弃12nm以下研发。
2019年，通过并购三重富士通半导体，联电实力增强，更名为USJC。 2020年，14FFC制程进入量产，22纳米和28HPC+技术也取得显著成果。 2021年，联电与客户紧密合作，产能满载，22/28nm营收占比显著提升，目标瞄准车用电子市场，2023年上半将实现IGBT的车用功率半导体量产。
未来，联电将继续扩大产能，如Fab 12A的扩建和新加坡Fab 12i的供货计划，满足全球22/28nm市场增长的需求。 40年专业积累，联电如今专注稳健的制程技术和市场需求，凭借完整的逻辑/混合信号技术，包括IATF-认证的汽车业支持，以及在LCD和OLED驱动芯片上的28nm制程，展现其技术实力。
在半导体行业激烈的竞争中，联电通过研发投入保持行业领先，坚持“识时务者为俊杰”的理念，既要满足短期的市场扩充，如8/12英寸特殊技术和先进制程，又着眼于中长期的制程研发和市场占有率提升。 同时，GaN化合物半导体和28/22纳米产能的扩大，以及与客户的深度合作，成为联电稳健发展的重要策略。
总结，联电42年的历程，是一部台湾半导体产业发展的缩影，从初创到成为全球代工巨头，其每一步都充满了挑战与机遇，印证了其在晶圆代工领域的不凡成就。
在过去几年里，“缺芯”是半导体行业的老大难，“扩产”则成了晶圆代工厂的常态。 面对供应不足的行业现状，扩大产能、抢占市场成为了全球晶圆代工企业共同的选择。 先前半导体的技术竞赛，指的都是前段制程如何缩小尺寸，但现在几乎已达技术极限。 据悉，半导体行业 游戏 规则正在改变，原本后段制程认为附加价值低，现在却和前段制程一样跻身热门领域；主要战场已移到后段制程，而不再是一味比线路的微细化了。 半导体若要功能更强、成本更低，就要另辟战场。 这时候脱颖而出的就是后段工程的晶片3D封装技术，因可减少多余能源耗损，提高效率。 例如讲究轻巧的智慧型手机、AR或VR用头盔等，都适合用到这种技术。 此外，去年开始大家都在讲碳中和，也使这项技术高度受重视。 日本半导体业者指出，原本节省能源就是非做不可的事，但3D封装技术现在变成最重要课题。 日本有多家企业拥有3D封装技术。 材料方面包括昭和电工材料（前日立化成）、JSR、揖斐电（Ibiden）、新光电气工业等；制造设备有牛尾电机、佳能、迪斯科（Disco）、东京精密等，迪斯科和东京精密就独占半导体切割设备市场。 这些企业及一些研究所和大学，都在台积电合作开发的名单内。 事实上，2020年秋季全球半导体大缺货时，电脑、 游戏 机等设备的后段工程材料就供不应求。 当时揖斐电还为此决定投资1,800亿日圆增产高性能IC封装基板，预定2023年开始量产。 业界人士透露，由于日本基板不足，曾导致部分外国半导体厂无法量产。 封装是指将完成前端工艺的晶圆切割成半导体的形状或对其进行布线。 在业界，它也被称为“后段制程”。 尤其是英特尔和台积电等全球半导体巨头正在大举投资先进封装设备。 根据市场研究公司 Yole Development 的数据，英特尔和台积电分别占据 2022 全球先进封装投资的公司 32% 和 27%。 三星电子排名第四，仅次于台湾后端工艺公司 ASE。 英特尔已经在 2018 年推出了名为“Foveros”的 3D 封装品牌，并宣布将把这项技术应用到各种新产品中。 它还设计了一种将每个区域组装成产品的方法，将其制作成tiles。 2020 年发布的一款名为“Lakefield”的芯片就是采用这种方式制成的，并安装在三星电子的笔记本电脑中。 台积电最近也决定使用这项技术生产其最大客户 AMD 的最新产品。 英特尔和台积电非常积极地在日本建立了一个 3D 封装研究中心，并从 6 月 24 日开始运营。 三星也在这个市场发力，在 2020 年推出了 3D 堆叠技术“X-Cube”。 三星电子晶圆代工事业部总裁 Choi Si-young 在 Hot Chips 2021 上表示正在开发“3.5D 封装”去年六月。 半导体行业的注意力为零，三星的这个工作组是否能够找到一种方法，使得三星与该领域的竞争对手保持领先。 随着前端节点越来越小，设计成本变得越来越重要。 高级封装 (AP) 解决方案通过降低成本、提高系统性能、降低延迟、增加带宽和电源效率来帮助解决这些问题。 数据中心网络、高性能计算机和自动驾驶 汽车 正在推动高端性能封装的采用，以及从技术角度来看的演变。 今天的趋势是在云、边缘计算和设备级别拥有更大的计算资源。 因此，不断增长的需求正在推动高端高性能封装设备的采用。
韩国巨头三星电子近日在上海的技术论坛上宣布了新的晶圆代工策略，旨在争夺大陆IC设计厂的订单。 三星强调，今年年底前，10纳米制程将投入生产，并利用最先进的极紫外光（EUV）技术进行7纳米制程，特别针对物联网和汽车电子提供低功耗的28纳米FD-SOI制程。
以往主要生产自有芯片的8寸晶圆厂三星，现在也计划开放，竞逐模拟IC和LCD驱动IC等领域的代工订单。 与之相比，尽管台积电、联电、力晶等已在大陆设立晶圆厂，但三星电子主要投资于西安的闪存制造，暂无在大陆设立晶圆代工厂的计划。
三星在全球的晶圆代工基地主要集中在韩国的S1（8寸）、美国得州的S2（12寸）以及京畿道华城市的S3（12寸）工厂。 三星计划在晶圆代工方面，今年月产能可达13.5-14万片12寸晶圆及19万片8寸晶圆，并预计到2017年底产能增长约15%。
面对台积电的10纳米和7纳米制程挑战，三星宣布10纳米制程试产将在今年底开始，跳过浸润式微影技术的7纳米，直接采用EUV微影技术，预计到2018年底，EUV技术的日产能将达到1500片晶圆。 三星认为，EUV技术的采用能更好地控制成本，有助于争取先进制程的代工订单。
三星看准了中国在移动支付、无人机、电动车、自动驾驶等领域的发展潜力，计划在2018年第二季度开始提供支持物联网和汽车电子的28纳米FD-SOI制程。 此外，三星还将开放8寸厂产能，利用其内存市场优势，提供65纳米嵌入式闪存和70纳米高压制程，积极争取大陆市场对模拟IC、CMOS图像感测器、LCD驱动IC等产品的代工订单。
