最新的关于EUV光刻机的报道再次引起了舆论的关注。据外媒透露，ASML公司可能具备远程瘫痪台积电使用的EUV光刻机的能力，这一消息引起了业内的震动。专家表示，技术上实现远程瘫痪或关闭EUV是可行的，由于全球90%的先进制程芯片在中国台湾生产制造，ASML的这一举动引起了广泛的讨论。
ASML作为唯一一家制造EUV设备的公司，近年来每年生产约40台设备。公司财务长Roger Dassen表示，计划到2024年每年生产60台设备。EUV光刻机的高昂价格令人咋舌，每台价格高达2.3亿美元，预计在更新版本中将会更贵。尽管价格昂贵，台积电在多年的使用中受益良多，成为EUV设备最大的买家。
台积电不断巩固其在晶圆代工领域的领先地位，特别是在先进制程方面积累了丰富的技术和经验。公司成功提高了EUV光刻机的生产效率，降低了维修时间和总体停机时间。通过未公开的节能技术，台积电成功将EUV光刻机的功耗降低了24%。
随着EUV设备价格的不断上涨，台积电也感到压力。高级副总裁Kevin Zhang表示，新的high-NA（高数值孔径）EUV光刻机成本极高，公司暂不考虑采用。这款设备每台耗资3.5亿欧元，重量相当于两架空客A320，运输和装配极为复杂。与标准EUV光刻机相比，high-NAEUV设备采用更大的数值孔径（0.55NA），能够实现8nm级别的分辨率，在2nm及以下制程芯片研发和生产中至关重要。
尽管EUV技术对于先进制程芯片生产至关重要，不断上涨的成本使得3nm及以下制程芯片制造变得更加困难。Kevin Zhang表示，台积电未来的A16制程将不会使用high-NAEUV光刻机，而会依赖旧款EUV设备。整个行业面临的共同挑战是成本持续上涨。
近年来，美国积极发展本土芯片制造业，政府出台优惠政策和资金支持，英特尔受益良多。如今，ASML推出的最新EUV设备为行业带来了新的技术突破，然而高昂的成本仍然是制约因素。未来的发展还取决于能否在技术和经济之间取得平衡。
在微电子制造的精密战场上，光刻机如同精密的艺术大师，而EUV (极紫外光刻) 技术则扮演着决定性角色。从UV光刻机的革新，如DUV (深紫外) 的ArF技术，再到134nm的分辨率瓶颈，EUV的13.5nm光源技术应运而生，引领着半导体行业向更小的制程迈进。ASML，这个行业的巨头，凭借其在EUV市场的主导地位，为这一技术的突破提供了强大的推动力。
光刻机的精密构造，包括照明系统、精密的Stage、镜头组、搬送和对准系统，每一个环节都是性能的关键。光刻分辨率、套刻精度和产能这些硬性指标，是衡量一台EUV光刻机实力的金科玉律。激光技术、光学设计和工艺优化的不断创新，使得光源系统从汞灯跃升至13.5nm的高效激光，功率可达惊人的500kw，以满足大规模生产的需求。
光刻的分辨率提升并非易事，需要通过复杂的技术手段如椭圆镜聚焦和滤波来实现。从最初的汞灯到EUV的13.5nm光，每一步都伴随着技术的挑战。ASML通过投资和并购策略，构建了EUV光源系统，由高效产生、收集和纯化单元组成，如CO2激光器和布拉格反射器的巧妙应用，确保了光源的稳定和高精度。
然而，EUV技术并非一帆风顺。气体对EUV光的吸收和折射问题，使得真空系统成为必要。光源的收集和利用尤为困难，低转化效率要求特殊镀膜反射镜，而这些都会带来能量损失。在这个过程中，创新如Nikon的fly-eye镜和ASML的quad-rod玻璃长方体，以及变形照明和OPC软件的运用，都为提高光纯化和曝光精度提供了关键解决方案。
Cymer和Gigaphoton作为EUV光源领域的领军者，分别凭借LPP技术的精湛工艺和松下-Ushio合资背景，为ASML的NXE 3400B等先进设备提供关键光源。小松收购Gigaphoton后，EUV技术在日本的研发布局更加紧密，尼康等厂商与Gigaphoton的联合研究，共同推动了EUV技术的突破，尽管它还面临着高成本、大功率激光需求、高散热和低能源转换效率等挑战。
EUV，这个前沿的技术，正在重塑电子产业的未来，其背后的技术进步与创新，无疑是推动微电子制造进入纳米级时代的关键动力。随着技术的不断突破，我们期待EUV在未来的微电子战场上，继续书写新的篇章。
结论：各大半导体巨头如三星、台积电、苹果和华为等纷纷追捧EUV光刻技术，因为它是实现更先进制程的关键。 EUV光刻机的引入，标志着芯片制造工艺进入了一个全新的时代。 EUV光刻机是什么：它是芯片生产中的核心设备，通过极紫外光作为光源，以实现更高精度的芯片电路复制。 光刻机的工作原理类似于胶片冲洗，掩膜版就像胶片，光刻机则是冲洗台，将电路图案从掩膜版复制到光刻胶上，然后刻蚀到晶圆上。 为何需要EUV光刻：传统的193nm DUV光刻已经接近极限，而EUV光刻机能利用更短的13.5nm波长，显著提升光刻机分辨率，从而实现7nm及以上的先进制程。 尽管EUV技术的研发和设备昂贵，但半导体厂商为了性能提升和晶体管密度的增加，愿意投入。 EUV光刻机的重要性：它是实现7nm及更小节点的关键，如AMD Zen 3架构的锐龙处理器就采用了台积电的7nm EUV工艺，性能和密度显著提升。 全球唯一能制造EUV光刻机的ASML，因其技术优势，获得了大量订单，EUV光刻机的市场需求和盈利能力可见一斑。
第二期国家集成电路产业投资基金，简称大基金二期，注册资本高达2041.5亿元，较一期1387.2亿元增长明显。预计在11月份开始投资，其核心目标是半导体装备及材料行业。
早在2014年，为刺激半导体行业投资，国务院发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，大基金便随之应运而生，由财政部、国开金融等多家机构共同发起。一期基金（2014-2018）已投资完毕，涉及23家公开公司，支持了70多个项目，尤其在制造和设计领域有所侧重。
尽管一期基金在半导体装备及材料领域的投资相对较少，但二期将把重点放在这一领域，包括光刻机、蚀刻机等关键设备。光刻机是半导体生产的重要工具，目前高端市场主要被美国和日本厂商占据，如ASML的EUV光刻机售价高昂，技术难度极高。
大基金二期不仅关注5G、AI和物联网等前沿领域，还将大力支持国产光刻机的发展，以期打破技术瓶颈。目前国产光刻机技术仍停留在90nm工艺，与先进水平差距明显。然而，光刻机技术的进步需要长期研发投入和国际合作，ASML的成功并非一日之功。
因此，大基金二期的巨额资金注入，无疑为国产EUV光刻机乃至整个半导体装备行业提供了强大推动力，有望推动我国在这个关键领域的自主创新能力提升。
